Mataas na vacuum plasma sputtering coating Kagitantan: PanguNaging Kagamitan na Nagbibiga -daan sa Metallization Ng DPC Ceramic Substrate

Ang ang semiconductor ceramic substrate coating Kagamitan ay napatibay ng prinsipyo ng Mataas na vacuum electric field plasma sputtering, injection ng isang maliit na halamaga ng argon gas sa saradong lukab, sa ionize ito sa dalas ng argon ion Boltahe. Ang mga high-energy argon ion na ito ay mapatilis at ibomba ang target na materyal sa isang direksyon, upang ang mga atomo sa ibabaw ng target na materyal ay "sputtered" out at pantay na idineposito sa ibabaw ng ceramic substrate, sa gayon ay batuo Layer na May iSang sikik na istraktura sa Malakas na Pagdikit.
Semiconductor ceramic substrate coating Kagamitan Ay iSang PanguNaging pre-link sa TeknoloHiya ng pagodo ng dpc ceramic substrate, na Naglalagay ng iSang solidong pundasyon para sa kasunod na paggawa ng circuit, graphic transfer sa functional na pagsasama. Sa pamamagitan ng pag-aalis ng metal na layer ng high-precision, ang ceramic substrate ay hindi lamang nakakamit ng mahusay na Kondaktibiti, ngunit mayroon ding mas malakas na katatagan ng thermal sa Lakas ng Kinakailangan ng MGA High-end na aplikasyon tulad ng 5G na Komunikasyon, automotive electronics, sa MGA module ng Kuryente para sa pagganap ng substrate.
SA Panahon ng Proseso ng Pag -aalis ng Metal Layer, Ang Anumang Mga Impurities Ay Seryosong Nakakaapekto Sa Katatagan Ng Istruktura, Mga De -Koryenteng Katangian sa Pagdikit ng Na -deposito Na Layer. Samakatuwid, Ang Kagamitan Na Ito ay nilagyan ng iSang Mataas na Sistema ng Silid Ng Vacuum Packaging, sa Ang Vacuum Degree Ay Maaring Umabot Sa Antas Ng 10⁻⁵ Pa. SA PAMAMAGITAN NG PAG-UUGNAY NG MATAAS NA KAHUSAYAN NA MOLEKULAR NA BOMBA AT MECHANICAL PUMP PARA SA TAMBUTSO, ANG ISTRAKTURA NG MULTI-LAYER SEALING, Ang Pagtagas ng Gas ang MGA Substrate para Kinakailangan para sa Kadalisayan sa Pagkakapare-Pareho.
Ang Kagamitan na ito ay Nagpatibay ng iSist Sistema ng mapagkukunan na kinokontrol ng plasma ion, na maaring awtomatokong ayusin ayon sa iba't ibang mga target na materyales, kapal ng target, Hugis ng substrate sa Posisyon. Lubos na nakokontrol na istraktura ng mapagkukunan ng ion ay maaaring makamit ang iSang mas pantay na sputtering Pamamahagi ng mga metal atoms, na tinitiyak na ang page ng buong ceramic substrate ay mas Mababa sa ± 3%, na kung saan ay lalong angkop para sa matatag na paggawa ng malaking laki o essyal na hugis na ceramic substrate.
UPANG matugunan ang mga pangangailangan sa pagproso ng MGA customer para sa mga ceramic substrate ng iba't ibang mga pagtutukoy, ang semiconductor ceramic substrate coating Kagamitan ay nagpatibay ng ay modular na disenyo ng substrate, sa ang interface ng pagodiwas ay sumusuporta sa iSang dual-station o multi-cavity parally layout.
Ang control system ay maaring mag -preset ng iba't ibang mga parameter ng proseso sa mAbilis na lumipat ng nga batch ng produkto. Ang Angttraktura na ito ay hindi ng Paggamit ng Kagamitan, Ngunit Lubos Din Na Binawasan Ang Oras Ng Pagsasa produkto. Ito ay napaka -anggop para sa oem, ang pang -agham na pagsubok sa pagsasalisik ng PananalikSik at katugma sa paggawa ng masa sa Kahanay na mga Kapaligiran sa Paggawa.
Ang semiconductor ceramic substrate coating kagamitan power supply system ay napatibay ng pageas na kahusayan na lumilipat ng power supply ng pag-save ng enerhiya na naka-sa-save ng enerhiya, sa ang page Kagamitan sa Pag-ion. Kasabay Nito, Mayroon Itong Awtomatikong Pagsisimula sa Mekanismo ng Pag-optimize ng Standby, Awtomatikong Pagsasaay ng Kuryente Pagkatapos Ng Pag-stabilize Ng Proseso, sa Binabawasan Angis Na Pagkonsumo Ng Enerhihiya. Ang pag-uugnay ng multi-cavity na opsyonal na pagsasaayos ay maaring makamit ang 24 na oras na salan tigil na patuloy na produksyon. Ito ay lalong angkop para sa ceramic substrate mass production customer na sensitibo sa yunit ng output ng pagkonsumo ng enerhiya at may mataas na mGa kinakailangan bar sa kahusayan ng talunin, tulad ng nga bagong sasakyyan MGA Tagagawa ng Module Ng Kuryente.